現代の半導体製造技術は物理的な限界に近づいていると考えられており、ポストムーア時代の技術開発には「More Moore」、「More Than Moore」、「Beyond Moore」などの戦略的方向性があるとされています(図1参照)。この中で、「Beyond Moore」は将来的な長期戦略の重点となり、異なる次元の物理量、例えば電子のスピンや光子、光波の特性、さらには量子情報技術などの発展を目指します。そして、「シリコンフォトニクス」(Silicon Photonics, Si-Ph)は、半導体と光電産業が活発に進めている「光」と「電気」の統合プラットフォームであり、TSMC、Intel、GlobalFoundrisなどの主要なウェーハメーカーの戦略的重点でもあります。
「More Moore」とは、名前が示す通り、ムーアの法則に沿って物理的な限界を追求するもので、CPU、GPU、メモリ、ロジックチップなどはこの路線に従って発展します。「More Than Moore」の重点は、半導体製造技術の極小化に依存せずに、半導体デバイスに他の機能を持たせることにあります。例えば、RF(無線周波数)デバイス、パワーデバイス、MEMS(微小電気機械システム)、センサーなどが含まれます。近年人気の3Dアドバンストパッケージングも「More Than Moore」の一例とされています。「Beyond Moore」は、ムーアの法則が予測する従来のCMOSトランジスタのサイズ制限を超えた技術と手法を指し、異なる物理学の導入と統合を目指します。これには、光学、電磁学、フォトニクス、量子技術、材料科学などが含まれます。特に、CMOS技術を用いて光電子デバイスを統合するシリコンフォトニクスは、現代の最も重要な製造技術プラットフォームです。
したがって、シリコンフォトニクスは「Beyond Moore」に分類されます。なぜなら、それはトランジスタの極小化を追求する代替手段を示し、計算と通信分野の未来の進歩を推進する可能性を持っており、エレクトロニクスの領域を超え、ムーアの法則の限界をも超えるからです。いずれの「More Moore」、「More Than Moore」、「Beyond Moore」の方向性も、半導体および光電産業の発展戦略の次元を示しています。
シリコンフォトニクスはBeyond Mooreの重要な戦略方向です
シリコンフォトニクスとは、半導体のCMOS製造技術を利用して、多くの光学および光電素子をウェーハ上に製作・統合する技術です。主な素子には、透鏡(lens)、反射鏡(mirror)、分路器(splitter)、濾光片(filter)、耦合器(coupler)、光導波(waveguide)、變調器(modulator)、光交換器(switch)、互連器(interconnet)、共振環(optical ring resonator)、干涉儀(interferometer)などが含まれます(図2参照)。これらの素子はそれぞれ、光の焦点、進行方向や経路の制御、光の分割や結合、干渉などを行い、データ通信、計算、感知などの目的を達成します。
シリコンフォトニクスは確かに半導体産業においてBeyond Mooreの新たな分野を開拓しましたが、台湾の半導体産業はMore MooreやMore Than Mooreほどの競争力を持っていません。とはいえ、More Mooreの分野には限界があり、台湾がこの分野で永遠に先行し続けることは困難です。そのため、More MooreやMore Than Mooreの分野で競争力を維持する必要があります。特に、シリコンフォトニクスの技術優位性を確保することが重要です。
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